Excitación de hipersonido en películas de GaAs y GaN

A pesar de que en las últimas décadas las innovaciones relacionadas con la obtención de compuestos pseudomórficos y heterouniones han sido significativas para el desarrollo de la física del estado sólido, los avances tecnológicos requieren de nuevos dispositivos capaces de operar por medio de una longitud de onda en rango milimétrico, sin sacrificar el desempeño que ofrecen las frecuencias elevadas. Este libro parte de los estudios sobre ondas en materiales semiconductores, los cuales tienen su origen en la creación de dispositivos de dos y tres terminales; primero, con los transistores de unión bipolar con sustrato de silicio y, posteriormente, con los de efecto de campo con sustrato de GaAs.